碳化硅（SiC）電熱元件是箱式電阻爐/馬弗爐常用的加熱元件，它選用綠色高純度六方碳化硅為主要原料，經(jīng)加工制坯、高溫硅化、經(jīng)2200℃高溫再結(jié)晶而成的棒狀非金屬高溫電熱元件。正常使用溫度可達1450℃，合理使用條件下，連續(xù)使用超過2000 小時，在空氣中使用，不需要任何保護氣氛該元件與金屬電熱元件相比，具有使用溫度高、抗氧化、耐腐蝕、壽命長、變形微、安裝維修方便等特點。因此，它被廣泛用于電子、磁性材料、粉末冶金、陶瓷、玻璃、冶金和機械等工業(yè)的多種高溫電爐及其它加熱的設(shè)備上。硅碳棒電熱元件的使用壽命除了遠見的內(nèi)在質(zhì)量的差異已影響外，還受元件的使用溫度，元件發(fā)熱部表面負荷，環(huán)境氣氛，有害物質(zhì)，供電方式( 間斷和連續(xù)使用) 以及元件在使用過程中的串并聯(lián)方式等因素的影響，在各溫度下元件的使用負荷。

硅碳棒(SiC) 的性能：

該元件質(zhì)地硬而脆，膨脹系數(shù)小、能耐急冷急熱，不易變形，有良好的化學穩(wěn)定性，抗酸能力極強，與強酸不反應(yīng)，抗堿能力較差，在高溫下能腐蝕分解棒體。氯氣能使元件分解，氫氮氣有不同程度的侵蝕作用。如果在空氣和水蒸氣中長期使用，元件會緩慢老化，二氧化硅含量增多，電阻值增長，發(fā)生如下反應(yīng)：

SiC+2O2=SiO2+CO2

SiC+4H2O=SiO2+4H2+CO2

硅碳棒的電阻值，隨著元件溫度的變化而變化，因為元件是一種非線性型電阻體。從室溫至850±50℃電阻由大變小，850±50℃以上又由小變大。也就是說：元件的電阻溫度系數(shù)有負值階段也有正值階段。在棒的一端所標電阻是按部頒標準規(guī)定在1050±50℃時測定的，便于安裝時搭配。元件的表面負荷密度與爐子的溫度有密切關(guān)系，可以根據(jù)需要任意調(diào)整。需要爐溫高時加大負荷密度，反之可降低負荷密度。即所謂“調(diào)功”。

硅碳棒(SiC) 的電阻溫度特性曲線：

由圖可見發(fā)熱體電阻呈凹曲狀，約850+50℃時，電阻率為最小值，在此溫度點之后，溫度增高電阻率相應(yīng)增大。溫度超過1500℃時，老化速度加劇，并將元件迅速燒毀。